Tecnología

Samsung Galaxy S9 tendrá más memoria interna

La compañía coreana está comenzando la producción en masa de memorias eUFS de 512 GB para usarla en sus terminales de próxima generación.

De 512 GB será la memoria de almacenamiento del nuevo Samsung Galaxy S9. Esta nueva memoria de Samsung contaría con una muy buena velocidad de lectura y escritura, alcanzando hasta los 860 MB/s, pudiendo traspasar 5 GB en poco más de 6 segundos.

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Además, este almacenamiento nos haría olvidarnos de tener que comprar una microSD para almacenar los pesados vídeos en 4K que grabamos con nuestro terminal.

Jaesoo Han, vicepresidente ejecutivo de Ventas y Marketing de Memorias de Samsung afirmó que Samsung está dando un gran paso contribuyendo a los lanzamientos de dispositivos móviles de próxima generación por parte de los fabricantes de smartphones en todo el mundo.

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